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STFI15N60M2-EP
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-262-3 Full Pack, I2Pak
- MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
Date Sheet
在庫數 1811
- 1+： $2.20167
- 10+： $2.07705
- 100+： $1.95948
- 500+： $1.84857
- 1000+： $1.74393
小計金額 $2.20167
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-262-3 Full Pack, I2Pak
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：25W Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ M2
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：Not Applicable
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：SINGLE
- Base Part Number：STFI15N
- JESD-30 Code：R-PSIP-T3
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：ISOLATED
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：378m Ω @ 5.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：590pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：17nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：600V
- Vgs (Max)：±25V
- Continuous Drain Current (ID)：11A
- JEDEC-95 Code：TO-281
- Drain-source On Resistance-Max：0.378Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：44A
- DS Breakdown Voltage-Min：600V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：125 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 1811
- 1+： $2.20167
- 10+： $2.07705
- 100+： $1.95948
- 500+： $1.84857
- 1000+： $1.74393
小計金額 $2.20167
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