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画像はあくまで参考です。
IRF8301MTRPBF
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Infineon Technologies
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- DirectFET™ Isometric MT
- MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT
Date Sheet
在庫數 1000
- 1+： $2.60696
- 10+： $2.45940
- 100+： $2.32018
- 500+： $2.18885
- 1000+： $2.06496
小計金額 $2.60696
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：DirectFET™ Isometric MT
- Number of Pins：7
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：34A Ta 192A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.8W Ta 89W Tc
- Turn Off Delay Time：25 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2.35V @ 150μA
- Operating Temperature：-40°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：HEXFET®
- Published：2013
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：ULTRA LOW RESISTANCE
- Terminal Position：BOTTOM
- JESD-30 Code：R-XBCC-N3
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.8W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：20 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.5m Ω @ 32A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：6140pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：77nC @ 4.5V
- Rise Time：30ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：17 ns
- Continuous Drain Current (ID)：34A
- Threshold Voltage：1.7V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：250A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：260 mJ
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 1000
- 1+： $2.60696
- 10+： $2.45940
- 100+： $2.32018
- 500+： $2.18885
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