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STB80NF55L-08-1
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Date Sheet
在庫數 13373
- 1+： $2.76988
- 10+： $2.61309
- 100+： $2.46518
- 500+： $2.32564
- 1000+： $2.19400
小計金額 $2.76988
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：80A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：300W Tc
- Turn Off Delay Time：85 ns
- Operating Temperature：175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：STripFET™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Additional Feature：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Base Part Number：STB80N
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：300W
- Turn On Delay Time：35 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：8m Ω @ 40A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：4350pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：100nC @ 4.5V
- Rise Time：145ns
- Vgs (Max)：±16V
- Fall Time (Typ)：65 ns
- Continuous Drain Current (ID)：80A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：16V
- Drain to Source Breakdown Voltage：55V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：870 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 13373
- 1+： $2.76988
- 10+： $2.61309
- 100+： $2.46518
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