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STI33N60M2
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK
Date Sheet
在庫數 10
- 1+： $1.50705
- 10+： $1.42175
- 100+： $1.34127
- 500+： $1.26535
- 1000+： $1.19373
小計金額 $1.50705
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Weight：2.084002g
- Turn Off Delay Time：109 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Power Dissipation (Max)：190W Tc
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：26A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Series：MDmesh™ II Plus
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：108mOhm
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STI33N
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Turn On Delay Time：16 ns
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：125m Ω @ 13A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1781pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：45.5nC @ 10V
- Rise Time：9.6ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：600V
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：9 ns
- Continuous Drain Current (ID)：26A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 10
- 1+： $1.50705
- 10+： $1.42175
- 100+： $1.34127
- 500+： $1.26535
- 1000+： $1.19373
小計金額 $1.50705
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