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STF120NF10
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET Nchannel 100 V 0.009 Ohm, 110 A, STripFET
Date Sheet
在庫數 5000
- 1+： $4.10947
- 10+： $3.87685
- 100+： $3.65741
- 500+： $3.45039
- 1000+： $3.25508
小計金額 $4.10947
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：45W Tc
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：41A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Turn Off Delay Time：132 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：STripFET™ II
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：10.5MOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Base Part Number：STF12
- Voltage：100V
- Element Configuration：Single
- Current：41A
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：45W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：25 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：10.5m Ω @ 60A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：5200pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：233nC @ 10V
- Rise Time：90ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：68 ns
- Continuous Drain Current (ID)：41A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：100V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：550 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 5000
- 1+： $4.10947
- 10+： $3.87685
- 100+： $3.65741
- 500+： $3.45039
- 1000+： $3.25508
小計金額 $4.10947
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