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画像はあくまで参考です。
STP52N25M5
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 250V 28A TO220
Date Sheet
在庫數 76
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：28A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：110W Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 100μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ V
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：ULTRA LOW-ON RESISTANCE
- Terminal Position：SINGLE
- Base Part Number：STP52N
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：110W
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：65m Ω @ 14A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1770pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：47nC @ 10V
- Rise Time：18ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：64 ns
- Continuous Drain Current (ID)：28A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain-source On Resistance-Max：0.065Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：250V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：112A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：230 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
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