日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
STP10N60M2
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
Date Sheet
在庫數 1000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：85W Tc
- Turn Off Delay Time：32.5 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ II Plus
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：600mOhm
- Base Part Number：STP10
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：8.8 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：600m Ω @ 3A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：400pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：13.5nC @ 10V
- Rise Time：8ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：13.2 ns
- Continuous Drain Current (ID)：7.5A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Height：15.75mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 1000
小計金額 $0.00000
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
