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画像はあくまで参考です。
FCB20N60TM
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Date Sheet
在庫數 1212
- 1+： $6.52702
- 10+： $6.15757
- 100+： $5.80903
- 500+： $5.48021
- 1000+： $5.17001
小計金額 $6.52702
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Surface Mount：YES
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：20A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：208W Tc
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：SuperFET™
- Published：2005
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- HTS Code：8541.29.00.95
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：FCB20N60
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：190m Ω @ 10A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3080pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：98nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：600V
- Vgs (Max)：±30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：20A
- Drain-source On Resistance-Max：0.19Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：60A
- DS Breakdown Voltage-Min：600V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：690 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 1212
- 1+： $6.52702
- 10+： $6.15757
- 100+： $5.80903
- 500+： $5.48021
- 1000+： $5.17001
小計金額 $6.52702
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