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画像はあくまで参考です。
STP28NM60ND
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Date Sheet
在庫數 880
- 1+： $5.42386
- 10+： $5.11685
- 100+： $4.82721
- 500+： $4.55398
- 1000+： $4.29620
小計金額 $5.42386
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：329.988449mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：23A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：190W Tc
- Turn Off Delay Time：92 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：FDmesh™ II
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Base Part Number：STP28N
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：23.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：150m Ω @ 11.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2090pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：62.5nC @ 10V
- Rise Time：21.5ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：600V
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：27 ns
- Continuous Drain Current (ID)：23A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：92A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：50 mJ
- Height：15.75mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 880
- 1+： $5.42386
- 10+： $5.11685
- 100+： $4.82721
- 500+： $4.55398
- 1000+： $4.29620
小計金額 $5.42386
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