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画像はあくまで参考です。
STP21N65M5
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 650V 17A TO-220
Date Sheet
在庫數 200
- 1+： $3.85449
- 10+： $3.63632
- 100+： $3.43049
- 500+： $3.23631
- 1000+： $3.05312
小計金額 $3.85449
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Package / Case：TO-220-3
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：125W Tc
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：17A Tc
- Series：MDmesh™ V
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Base Part Number：STP21N
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：125W
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：190m Ω @ 8.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1950pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：50nC @ 10V
- Vgs (Max)：±25V
- Continuous Drain Current (ID)：17A
- Threshold Voltage：4V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：68A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：400 mJ
- Width：4.6mm
- Length：10.4mm
- Height：15.75mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- REACH SVHC：No SVHC
在庫數 200
- 1+： $3.85449
- 10+： $3.63632
- 100+： $3.43049
- 500+： $3.23631
- 1000+： $3.05312
小計金額 $3.85449
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