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画像はあくまで参考です。
STD60NF55LAT4
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Trans MOSFET N-CH 55V 60A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
Date Sheet
在庫數 53000
- 1+： $1.78616
- 10+： $1.68505
- 100+： $1.58967
- 500+： $1.49969
- 1000+： $1.41480
小計金額 $1.78616
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：60A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：110W Tc
- Turn Off Delay Time：80 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Additional Feature：LOW THRESHOLD
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：STD60N
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：110W
- Turn On Delay Time：30 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：15m Ω @ 30A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1950pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：40nC @ 5V
- Rise Time：180ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：55V
- Vgs (Max)：±15V
- Fall Time (Typ)：35 ns
- Continuous Drain Current (ID)：60A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：15V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：240A
- DS Breakdown Voltage-Min：55V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：400 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 53000
- 1+： $1.78616
- 10+： $1.68505
- 100+： $1.58967
- 500+： $1.49969
- 1000+： $1.41480
小計金額 $1.78616
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