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STD10P10F6
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET P-CH 100V 10A
Date Sheet
在庫數 7500
- 1+： $1.19595
- 10+： $1.12825
- 100+： $1.06439
- 500+： $1.00414
- 1000+： $0.94730
小計金額 $1.19595
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：40W Tc
- Operating Temperature：175°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：STripFET™ F6
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STD10
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：180m Ω @ 5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：864pF @ 80V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：16.5nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：100V
- Vgs (Max)：±20V
- Continuous Drain Current (ID)：10A
- Drain-source On Resistance-Max：0.18Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：40A
- DS Breakdown Voltage-Min：100V
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 7500
- 1+： $1.19595
- 10+： $1.12825
- 100+： $1.06439
- 500+： $1.00414
- 1000+： $0.94730
小計金額 $1.19595
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