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FDB6670AS
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Rochester Electronics, LLC
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- N-CHANNEL POWER MOSFET
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仕様 よくある質問
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Surface Mount：YES
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：62A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：62.5W Tc
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- Terminal Finish：NOT SPECIFIED
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Pin Count：4
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：COMMERCIAL
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：8.5m Ω @ 31A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 1mA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1.57pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：39nC @ 15V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：30V
- Vgs (Max)：±20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：62A
- Drain-source On Resistance-Max：0.0085Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：150A
- DS Breakdown Voltage-Min：30V
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
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