日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
STS4DNFS30
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
Date Sheet
在庫數 5000
- 1+： $1.94562
- 10+： $1.83549
- 100+： $1.73160
- 500+： $1.63358
- 1000+： $1.54111
小計金額 $1.94562
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2W Tc
- Turn Off Delay Time：15 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：STripFET™
- JESD-609 Code：e4
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：3 (168 Hours)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：NICKEL PALLADIUM GOLD
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：STS4D
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2W
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：55m Ω @ 2A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：330pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：4.7nC @ 5V
- Rise Time：17ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：6 ns
- Continuous Drain Current (ID)：4.5A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：13A
- FET Feature：Schottky Diode (Isolated)
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 5000
- 1+： $1.94562
- 10+： $1.83549
- 100+： $1.73160
- 500+： $1.63358
- 1000+： $1.54111
小計金額 $1.94562
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
