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STD180N4F6
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- N-CHANNEL 40 V, 3.8 MOHM TYP., 1
Date Sheet
在庫數 470
- 1+： $2.18789
- 10+： $2.06405
- 100+： $1.94721
- 500+： $1.83699
- 1000+： $1.73301
小計金額 $2.18789
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：NRND (Last Updated: 7 months ago)
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Surface Mount：YES
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：80A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：130W Tc
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：STripFET™
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STD18
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2.8m Ω @ 40A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：7735pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：130nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：40V
- Vgs (Max)：±20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：80A
- Drain-source On Resistance-Max：0.0028Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：320A
- DS Breakdown Voltage-Min：40V
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 470
- 1+： $2.18789
- 10+： $2.06405
- 100+： $1.94721
- 500+： $1.83699
- 1000+： $1.73301
小計金額 $2.18789
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