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STD80N10F7
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
Date Sheet
在庫數 16441
- 1+： $1.80021
- 10+： $1.69831
- 100+： $1.60218
- 500+： $1.51149
- 1000+： $1.42593
小計金額 $1.80021
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：3.949996g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：70A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：85W Tc
- Turn Off Delay Time：36 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：DeepGATE™, STripFET™ VII
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：ULTRA LOW-ON RESISTANCE
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STD80
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：19 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：10m Ω @ 40A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3100pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：45nC @ 10V
- Rise Time：32ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：100V
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：13 ns
- Continuous Drain Current (ID)：70A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：280A
- Height：2.4mm
- Length：6.6mm
- Width：6.2mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 16441
- 1+： $1.80021
- 10+： $1.69831
- 100+： $1.60218
- 500+： $1.51149
- 1000+： $1.42593
小計金額 $1.80021
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