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STB28N60M2
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET POWER MOSFET
Date Sheet
在庫數 25000
- 1+： $4.96052
- 10+： $4.67974
- 100+： $4.41485
- 500+： $4.16495
- 1000+： $3.92920
小計金額 $4.96052
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：26 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Contact Plating：Tin
- Weight：3.949996g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：22A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：170W Tc
- Turn Off Delay Time：100 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：MDmesh™ II Plus
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STB28N
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：14.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：150m Ω @ 11A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1440pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：36nC @ 10V
- Rise Time：7.2ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：8 ns
- Continuous Drain Current (ID)：22A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：88A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：350 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 25000
- 1+： $4.96052
- 10+： $4.67974
- 100+： $4.41485
- 500+： $4.16495
- 1000+： $3.92920
小計金額 $4.96052
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