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FDD8874
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ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3
- MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
Date Sheet
在庫數 38
- 1+： $1.78544
- 10+： $1.68437
- 100+： $1.58903
- 500+： $1.49909
- 1000+： $1.41423
小計金額 $1.78544
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Number of Elements：1
- Turn Off Delay Time：47 ns
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Max Operating Temperature：175°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Voltage - Rated DC：30V
- Max Power Dissipation：110W
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：116A
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：110W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：9 ns
- Transistor Application：SWITCHING
- Rise Time：96ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：30V
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Fall Time (Typ)：37 ns
- Continuous Drain Current (ID)：116A
- JEDEC-95 Code：TO-252AA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Input Capacitance：2.99nF
- Avalanche Energy Rating (Eas)：240 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Drain to Source Resistance：5.1mOhm
- Rds On Max：5.1 mΩ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 38
- 1+： $1.78544
- 10+： $1.68437
- 100+： $1.58903
- 500+： $1.49909
- 1000+： $1.41423
小計金額 $1.78544
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