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STD70N6F3
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 60V 70A DPAK
Date Sheet
在庫數 2500
- 1+： $2.51268
- 10+： $2.37045
- 100+： $2.23627
- 500+： $2.10969
- 1000+： $1.99027
小計金額 $2.51268
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：70A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：110W Tc
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：STripFET™ III
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：10.5MOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Base Part Number：STD70N
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：110W
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：10.5m Ω @ 35A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2200pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：35nC @ 10V
- Vgs (Max)：±20V
- Continuous Drain Current (ID)：70A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：60V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：280A
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 2500
- 1+： $2.51268
- 10+： $2.37045
- 100+： $2.23627
- 500+： $2.10969
- 1000+： $1.99027
小計金額 $2.51268
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