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画像はあくまで参考です。
STP13NK60Z
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 600V 13A TO-220
Date Sheet
在庫數 35
- 1+： $2.80827
- 10+： $2.64931
- 100+： $2.49935
- 500+： $2.35788
- 1000+： $2.22441
小計金額 $2.80827
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：13A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：150W Tc
- Turn Off Delay Time：61 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 100μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：600V
- Current Rating：13A
- Base Part Number：STP13N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：150W
- Turn On Delay Time：22 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：550m Ω @ 4.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2030pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：92nC @ 10V
- Rise Time：14ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：12 ns
- Continuous Drain Current (ID)：13A
- Threshold Voltage：3.75V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain-source On Resistance-Max：0.55Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：52A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：400 mJ
- Height：9.15mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 35
- 1+： $2.80827
- 10+： $2.64931
- 100+： $2.49935
- 500+： $2.35788
- 1000+： $2.22441
小計金額 $2.80827
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