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STP100N10F7
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
Date Sheet
在庫數 300
- 1+： $2.16723
- 10+： $2.04455
- 100+： $1.92882
- 500+： $1.81964
- 1000+： $1.71665
小計金額 $2.16723
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：13 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：80A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：150W Tc
- Turn Off Delay Time：46 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：DeepGATE™, STripFET™ VII
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：8MOhm
- Base Part Number：STP100
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：150W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：27 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：8m Ω @ 40A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：4369pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：61nC @ 10V
- Rise Time：40ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：16 ns
- Continuous Drain Current (ID)：80A
- Threshold Voltage：4.5V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：100V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：400 mJ
- Height：15.75mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 300
- 1+： $2.16723
- 10+： $2.04455
- 100+： $1.92882
- 500+： $1.81964
- 1000+： $1.71665
小計金額 $2.16723
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