日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
FQPF2N60C
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 600V 2A TO-220F
Date Sheet
在庫數 5641
- 1+： $0.43311
- 10+： $0.40859
- 100+： $0.38546
- 500+： $0.36364
- 1000+： $0.34306
小計金額 $0.43311
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Weight：2.27g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：23W Tc
- Turn Off Delay Time：24 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2003
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：4.7Ohm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：600V
- Current Rating：2A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：23W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：9 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：4.7 Ω @ 1A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：235pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：12nC @ 10V
- Rise Time：25ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：28 ns
- Continuous Drain Current (ID)：2A
- Threshold Voltage：4V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：2A
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：8A
- Height：9.19mm
- Length：10.16mm
- Width：4.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 5641
- 1+： $0.43311
- 10+： $0.40859
- 100+： $0.38546
- 500+： $0.36364
- 1000+： $0.34306
小計金額 $0.43311
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
