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STF6N52K3
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- STMICROELECTRONICS STF6N52K3 MOSFET Transistor, N Channel, 5 A, 525 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V
Date Sheet
在庫數 88850
- 1+： $2.05361
- 10+： $1.93737
- 100+： $1.82771
- 500+： $1.72425
- 1000+： $1.62665
小計金額 $2.05361
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：25W Tc
- Turn Off Delay Time：31 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH3™
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：ULTRA-LOW RESISTANCE
- Base Part Number：STF6N
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：25W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：10 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.2 Ω @ 2.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4.5V @ 50μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：670pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：26nC @ 10V
- Rise Time：11ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：18 ns
- Continuous Drain Current (ID)：5A
- Threshold Voltage：3.75V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：5A
- Drain to Source Breakdown Voltage：525V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：20A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：110 mJ
- Height：16.4mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 88850
- 1+： $2.05361
- 10+： $1.93737
- 100+： $1.82771
- 500+： $1.72425
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小計金額 $2.05361
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