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画像はあくまで参考です。
STP3N62K3
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 620V 2.7A TO-220
Date Sheet
在庫數 16222
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.7A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：45W Tc
- Turn Off Delay Time：22 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 50μA
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH3™
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：2.5Ohm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Base Part Number：STP3N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：45W
- Turn On Delay Time：9 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2.5 Ω @ 1.4A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：385pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：13nC @ 10V
- Rise Time：6.8ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：15.6 ns
- Continuous Drain Current (ID)：2.7A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：620V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：10.8A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：100 mJ
- Nominal Vgs：3.75 V
- Height：15.75mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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