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STF16N65M2
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Date Sheet
在庫數 9000
- 1+： $2.09668
- 10+： $1.97800
- 100+： $1.86604
- 500+： $1.76042
- 1000+： $1.66077
小計金額 $2.09668
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：25W Tc
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ M2
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：SINGLE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STF16
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：ISOLATED
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：360m Ω @ 5.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：718pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：19.5nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：650V
- Vgs (Max)：±25V
- Continuous Drain Current (ID)：11A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Drain-source On Resistance-Max：0.36Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：44A
- DS Breakdown Voltage-Min：650V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：360 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 9000
- 1+： $2.09668
- 10+： $1.97800
- 100+： $1.86604
- 500+： $1.76042
- 1000+： $1.66077
小計金額 $2.09668
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