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画像はあくまで参考です。
FCPF190N60E
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF190N60E Power MOSFET, N Channel, 20.6 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 2.5 V
Date Sheet
在庫數 10000
- 1+： $3.71640
- 10+： $3.50604
- 100+： $3.30758
- 500+： $3.12036
- 1000+： $2.94374
小計金額 $3.71640
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：15 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Weight：2.27g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：20.6A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：39W Tc
- Turn Off Delay Time：212 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperFET® II
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：39W
- Turn On Delay Time：23 ns
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：190m Ω @ 10A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3175pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：82nC @ 10V
- Rise Time：38ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：600V
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：40 ns
- Continuous Drain Current (ID)：20.6A
- Threshold Voltage：2.5V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Height：9.19mm
- Length：10.36mm
- Width：4.9mm
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 10000
- 1+： $3.71640
- 10+： $3.50604
- 100+： $3.30758
- 500+： $3.12036
- 1000+： $2.94374
小計金額 $3.71640
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