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STB60NF10-1
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- MOSFET N Ch 100V 0.019Ohm 80A
Date Sheet
在庫數 5330
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：80A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：300W Tc
- Turn Off Delay Time：82 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：STripFET™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：MATTE TIN
- Peak Reflow Temperature (Cel)：225
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STB60N
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：300W
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：23m Ω @ 40A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：4270pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：104nC @ 10V
- Rise Time：56ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：23 ns
- Continuous Drain Current (ID)：80A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：100V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：485 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 5330
小計金額 $0.00000
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