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FDS6570A
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC
Date Sheet
在庫數 15000
- 1+： $1.68941
- 10+： $1.59378
- 100+： $1.50357
- 500+： $1.41846
- 1000+： $1.33817
小計金額 $1.68941
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：18 Weeks
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Number of Pins：8
- Weight：130mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta
- Turn Off Delay Time：95 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1.5V @ 250μA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：15A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 4.5V
- Number of Elements：1
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：20V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：15A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Turn On Delay Time：20 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：7.5m Ω @ 15A, 4.5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：4700pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：66nC @ 5V
- Rise Time：27ns
- Vgs (Max)：±8V
- Fall Time (Typ)：35 ns
- Continuous Drain Current (ID)：15A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：8V
- Drain-source On Resistance-Max：0.0075Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：20V
- Nominal Vgs：900 mV
- Width：4mm
- Height：1.5mm
- Length：5mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 15000
- 1+： $1.68941
- 10+： $1.59378
- 100+： $1.50357
- 500+： $1.41846
- 1000+： $1.33817
小計金額 $1.68941
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