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画像はあくまで参考です。
STD100N10F7
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD100N10F7
Date Sheet
在庫數 50000
- 1+： $2.27058
- 10+： $2.14206
- 100+： $2.02081
- 500+： $1.90643
- 1000+： $1.79851
小計金額 $2.27058
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：80A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：120W Tc
- Turn Off Delay Time：46 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：DeepGATE™, STripFET™ VII
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：8MOhm
- HTS Code：8541.29.00.95
- Terminal Form：THROUGH-HOLE
- Base Part Number：STD10
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：120W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：27 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：8m Ω @ 40A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：4369pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：61nC @ 10V
- Vgs (Max)：±20V
- Continuous Drain Current (ID)：80A
- Threshold Voltage：4.5V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：100V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：400 mJ
- Height：2.4mm
- Length：6.6mm
- Width：6.2mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 50000
- 1+： $2.27058
- 10+： $2.14206
- 100+： $2.02081
- 500+： $1.90643
- 1000+： $1.79851
小計金額 $2.27058
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