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画像はあくまで参考です。
IRLM220ATF
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-261-4, TO-261AA
- Trans MOSFET N-CH 200V 1.13A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
Date Sheet
在庫數 29419
- 1+： $0.38793
- 10+： $0.36597
- 100+： $0.34526
- 500+： $0.32572
- 1000+： $0.30728
小計金額 $0.38793
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Factory Lead Time：21 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-261-4, TO-261AA
- Number of Pins：4
- Weight：188mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.13A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2W Tc
- Turn Off Delay Time：6 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：6 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：800m Ω @ 570mA, 5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：430pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：15nC @ 5V
- Rise Time：24ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：6 ns
- Continuous Drain Current (ID)：1.13A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：0.8Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：200V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：9A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：29 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 29419
- 1+： $0.38793
- 10+： $0.36597
- 100+： $0.34526
- 500+： $0.32572
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小計金額 $0.38793
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