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画像はあくまで参考です。
STF4N62K3
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
Date Sheet
在庫數 5900
- 1+： $2.66657
- 10+： $2.51564
- 100+： $2.37324
- 500+： $2.23891
- 1000+： $2.11218
小計金額 $2.66657
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.8A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：25W Tc
- Turn Off Delay Time：29 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH3™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：2Ohm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Base Part Number：STF4N
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：25W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：10 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2 Ω @ 1.9A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4.5V @ 50μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：550pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：22nC @ 10V
- Rise Time：9ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：19 ns
- Continuous Drain Current (ID)：3.8A
- Threshold Voltage：3.75V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：620V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：15.2A
- Height：16.4mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 5900
- 1+： $2.66657
- 10+： $2.51564
- 100+： $2.37324
- 500+： $2.23891
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小計金額 $2.66657
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