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画像はあくまで参考です。
STW18NM60N
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
Date Sheet
在庫數 600
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：13A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Turn Off Delay Time：55 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：110W Tc
- Series：MDmesh™ II
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：285mOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Terminal Position：SINGLE
- Base Part Number：STW18N
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：80W
- Turn On Delay Time：12 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：285m Ω @ 6.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1000pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：35nC @ 10V
- Rise Time：15ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：600V
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：25 ns
- Continuous Drain Current (ID)：13A
- Threshold Voltage：3V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：52A
- DS Breakdown Voltage-Min：600V
- Height：20.15mm
- Length：15.75mm
- Width：5.15mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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