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FDS6676AS
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
Date Sheet
在庫數 81
- 1+： $0.68130
- 10+： $0.64273
- 100+： $0.60635
- 500+： $0.57203
- 1000+： $0.53965
小計金額 $0.68130
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：18 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Weight：130mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：14.5A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta
- Turn Off Delay Time：43 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®, SyncFET™
- JESD-609 Code：e4
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：6MOhm
- Terminal Finish：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Turn On Delay Time：10 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：6m Ω @ 14.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 1mA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2510pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：63nC @ 10V
- Rise Time：12ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：29 ns
- Continuous Drain Current (ID)：14.5A
- Threshold Voltage：1.5V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Height：1.5mm
- Length：5mm
- Width：4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 81
- 1+： $0.68130
- 10+： $0.64273
- 100+： $0.60635
- 500+： $0.57203
- 1000+： $0.53965
小計金額 $0.68130
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