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画像はあくまで参考です。
DMJ7N70SK3-13
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Diodes Incorporated
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET Transistor PNP 30Vceo
Date Sheet
在庫數 23893
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：14 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Weight：3.949996g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.9A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：28W Tc
- Turn Off Delay Time：24.5 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2014
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Additional Feature：HIGH RELIABILITY
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：8.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.25 Ω @ 2.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：351pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：13.9nC @ 10V
- Rise Time：11.6ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：10 ns
- Continuous Drain Current (ID)：3.9A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：700V
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 23893
小計金額 $0.00000
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