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画像はあくまで参考です。
CPH6355-TL-W
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Trans MOSFET P-CH 30V 3A 6-Pin CPH T/R
Date Sheet
在庫數 3000
- 1+： $0.10601
- 10+： $0.10001
- 100+： $0.09435
- 500+： $0.08901
- 1000+： $0.08397
小計金額 $0.10601
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Contact Plating：Tin
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：1.6W Ta
- Turn Off Delay Time：19.4 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2.6V @ 1mA
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4V 10V
- Number of Elements：1
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3A Ta
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Operating Temperature：150°C TJ
- Published：2012
- JESD-609 Code：e6
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Not For New Designs
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- JESD-30 Code：R-PDSO-G6
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Turn On Delay Time：4.6 ns
- FET Type：P-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：169m Ω @ 1.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：172pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：3.9nC @ 10V
- Rise Time：6.6ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：30V
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：11.4 ns
- Continuous Drain Current (ID)：3A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：3A
- Drain-source On Resistance-Max：0.169Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：12A
- DS Breakdown Voltage-Min：30V
- REACH SVHC：not_compliant
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 3000
- 1+： $0.10601
- 10+： $0.10001
- 100+： $0.09435
- 500+： $0.08901
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