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STP11N65M2
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- STMICROELECTRONICS STP11N65M2 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V
Date Sheet
在庫數 770
- 1+： $2.08302
- 10+： $1.96511
- 100+： $1.85388
- 500+： $1.74894
- 1000+： $1.64995
小計金額 $2.08302
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：329.988449mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：85W Tc
- Turn Off Delay Time：26 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ II Plus
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN Code：EAR99
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STP11N
- Number of Channels：1
- Turn On Delay Time：9.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：670m Ω @ 3.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：410pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：12.5nC @ 10V
- Rise Time：7.5ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：15 ns
- Continuous Drain Current (ID)：7A
- Threshold Voltage：3V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 770
- 1+： $2.08302
- 10+： $1.96511
- 100+： $1.85388
- 500+： $1.74894
- 1000+： $1.64995
小計金額 $2.08302
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