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STU10N60M2
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
Date Sheet
在庫數 8
- 1+： $1.68319
- 10+： $1.58792
- 100+： $1.49803
- 500+： $1.41324
- 1000+： $1.33324
小計金額 $1.68319
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：26 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：85W Tc
- Turn Off Delay Time：32.5 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ II Plus
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Base Part Number：STU10N
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：8.8 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：600m Ω @ 3A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：400pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：13.5nC @ 10V
- Rise Time：8ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：13.2 ns
- Continuous Drain Current (ID)：7.5A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain-source On Resistance-Max：0.6Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Height：6.2mm
- Length：6.6mm
- Width：2.4mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 8
- 1+： $1.68319
- 10+： $1.58792
- 100+： $1.49803
- 500+： $1.41324
- 1000+： $1.33324
小計金額 $1.68319
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