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画像はあくまで参考です。
STD10NF30
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CHANNEL 300V 10A DPAK
Date Sheet
在庫數 15000
- 1+： $1.61646
- 10+： $1.52496
- 100+： $1.43864
- 500+： $1.35721
- 1000+： $1.28039
小計金額 $1.61646
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Surface Mount：YES
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：103W Tc
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：Automotive, AEC-Q101, MESH OVERLAY™, MESH OVERLAY™
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STD10
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：330m Ω @ 5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：780pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：23nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：300V
- Vgs (Max)：±20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：10A
- Drain-source On Resistance-Max：0.33Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：40A
- DS Breakdown Voltage-Min：300V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：175 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 15000
- 1+： $1.61646
- 10+： $1.52496
- 100+： $1.43864
- 500+： $1.35721
- 1000+： $1.28039
小計金額 $1.61646
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