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画像はあくまで参考です。
STH145N8F7-2AG
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 80V 90A
Date Sheet
在庫數 25200
- 1+： $3.59538
- 10+： $3.39187
- 100+： $3.19988
- 500+： $3.01875
- 1000+： $2.84788
小計金額 $3.59538
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：90A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：200W Tc
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STH145
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：4m Ω @ 45A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：6340pF @ 40V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：96nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：80V
- Vgs (Max)：±20V
- Continuous Drain Current (ID)：90A
- Drain-source On Resistance-Max：0.004Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：360A
- DS Breakdown Voltage-Min：80V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：515 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 25200
- 1+： $3.59538
- 10+： $3.39187
- 100+： $3.19988
- 500+： $3.01875
- 1000+： $2.84788
小計金額 $3.59538
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