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STB45NF06
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CHANNEL MOSFET
Date Sheet
在庫數 398
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Mount：Surface Mount
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：80W Tc
- Turn Off Delay Time：28 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：38A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：STripFET™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：28mOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：60V
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：245
- Current Rating：38A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：STB45N
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：80W
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：28m Ω @ 19A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：980pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：58nC @ 10V
- Rise Time：40ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：10 ns
- Continuous Drain Current (ID)：38A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：60V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：152A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：260 mJ
- REACH SVHC：not_compliant
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 398
小計金額 $0.00000
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