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IRF830
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220
Date Sheet
在庫數 25000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：100W Tc
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：PowerMESH™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Additional Feature：HIGH VOLTAGE, FAST SWITCHING
- Voltage - Rated DC：500V
- Current Rating：4.5A
- Base Part Number：IRF8
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：100W
- Turn On Delay Time：11.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.5 Ω @ 2.7A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：610pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：30nC @ 10V
- Rise Time：8ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：5 ns
- Continuous Drain Current (ID)：4.5A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：18A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：290 mJ
- Feedback Cap-Max (Crss)：55 pF
- Turn On Time-Max (ton)：102ns
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：Non-RoHS Compliant
- Lead Free：Contains Lead
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