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STB16PF06LT4
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK
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仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：16A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：70W Tc
- Turn Off Delay Time：25.5 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：STripFET™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：-60V
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：245
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Current Rating：-16A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：STB16P
- Pin Count：4
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：70W
- FET Type：P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：125m Ω @ 8A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1.5V @ 100μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：630pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：15.5nC @ 4.5V
- Rise Time：90ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：60V
- Vgs (Max)：±16V
- Fall Time (Typ)：19.5 ns
- Continuous Drain Current (ID)：16A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：16V
- Drain to Source Breakdown Voltage：-60V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：64A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：250 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
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