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STI21N65M5
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- MOSFET N-channel 650 V, 0.1 50 Ohm, 17 A MDmesh
Date Sheet
在庫數 37
- 1+： $2.17323
- 10+： $2.05021
- 100+： $1.93416
- 500+： $1.82468
- 1000+： $1.72140
小計金額 $2.17323
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：17A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：125W Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ V
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Base Part Number：STI21N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：125W
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：179m Ω @ 8.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1950pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：50nC @ 10V
- Rise Time：10ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：12 ns
- Continuous Drain Current (ID)：17A
- Threshold Voltage：4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain-source On Resistance-Max：0.19Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：68A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：400 mJ
- Nominal Vgs：4 V
- Height：10.75mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 37
- 1+： $2.17323
- 10+： $2.05021
- 100+： $1.93416
- 500+： $1.82468
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小計金額 $2.17323
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