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画像はあくまで参考です。
STB130NS04ZBT4
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
Date Sheet
在庫數 690
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：80A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：300W Tc
- Turn Off Delay Time：220 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：MESH OVERLAY™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：245
- Current Rating：80A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：300W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：40 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：9m Ω @ 40A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 1mA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2700pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：80nC @ 10V
- Rise Time：10ns
- Vgs (Max)：Clamped
- Fall Time (Typ)：100 ns
- Continuous Drain Current (ID)：80A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：18V
- Drain-source On Resistance-Max：0.009Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：33V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：500 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 690
小計金額 $0.00000
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