日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
STD12NM50ND
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
Date Sheet
在庫數 43231
- 1+： $6.57942
- 10+： $6.20700
- 100+： $5.85566
- 500+： $5.52421
- 1000+： $5.21152
小計金額 $6.57942
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：100W Tc
- Turn Off Delay Time：40 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：FDmesh™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：STD12
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Configuration：SINGLE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：100W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：12 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：380m Ω @ 5.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：850pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：30nC @ 10V
- Rise Time：15ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：500V
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：17 ns
- Continuous Drain Current (ID)：11A
- JEDEC-95 Code：TO-252AA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：44A
- DS Breakdown Voltage-Min：500V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 43231
- 1+： $6.57942
- 10+： $6.20700
- 100+： $5.85566
- 500+： $5.52421
- 1000+： $5.21152
小計金額 $6.57942
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
