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画像はあくまで参考です。
FCP099N60E
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin TO-220 Tube
Date Sheet
在庫數 130
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：37A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：357W Tc
- Turn Off Delay Time：92 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperFET® II
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- HTS Code：8541.29.00.95
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Turn On Delay Time：24 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：99m Ω @ 18.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3465pF @ 380V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：114nC @ 10V
- Rise Time：23ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：600V
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：22 ns
- Continuous Drain Current (ID)：37A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：0.099Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：111A
- DS Breakdown Voltage-Min：600V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：809 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 130
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