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FDB8870
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
Date Sheet
在庫數 50
- 1+： $2.76202
- 10+： $2.60568
- 100+： $2.45819
- 500+： $2.31905
- 1000+： $2.18778
小計金額 $2.76202
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Weight：1.31247g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：23A Ta 160A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：160W Tc
- Turn Off Delay Time：75 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：30V
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：160A
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：160W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：10 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：3.9m Ω @ 35A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：5200pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：132nC @ 10V
- Rise Time：98ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：47 ns
- Continuous Drain Current (ID)：35A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：0.0044Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 50
- 1+： $2.76202
- 10+： $2.60568
- 100+： $2.45819
- 500+： $2.31905
- 1000+： $2.18778
小計金額 $2.76202
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