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HUFA76429D3S
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Date Sheet
在庫數 2309
- 1+： $0.77765
- 10+： $0.73363
- 100+： $0.69211
- 500+： $0.65293
- 1000+： $0.61597
小計金額 $0.77765
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：20A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：110W Tc
- Turn Off Delay Time：60 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：UltraFET™
- Published：2001
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Additional Feature：ULTRA-LOW RESISTANCE
- Voltage - Rated DC：60V
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Current Rating：20A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：110W
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：23m Ω @ 20A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1480pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：46nC @ 10V
- Rise Time：36ns
- Vgs (Max)：±16V
- Fall Time (Typ)：56 ns
- Continuous Drain Current (ID)：20A
- JEDEC-95 Code：TO-252AA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：16V
- Drain-source On Resistance-Max：0.029Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：60V
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 2309
- 1+： $0.77765
- 10+： $0.73363
- 100+： $0.69211
- 500+： $0.65293
- 1000+： $0.61597
小計金額 $0.77765
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