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FQB10N20LTM
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
Date Sheet
在庫數 772
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Mounting Type：Surface Mount
- Mount：Surface Mount
- Supplier Device Package：D2PAK (TO-263AB)
- Power Dissipation (Max)：3.13W Ta 87W Tc
- Turn Off Delay Time：50 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2V @ 250μA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：QFET®
- Published：2000
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Voltage - Rated DC：200V
- Current Rating：10A
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：3.13W
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：360mOhm @ 5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：830pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：17nC @ 5V
- Rise Time：150ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：200V
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：95 ns
- Continuous Drain Current (ID)：10A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：200V
- Input Capacitance：830pF
- Drain to Source Resistance：360mOhm
- Rds On Max：360 mΩ
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 772
小計金額 $0.00000
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