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画像はあくまで参考です。
NTLGF3501NT2G
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 6-VDFN Exposed Pad
- MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
Date Sheet
在庫數 2962
- 1+： $0.65204
- 10+： $0.61513
- 100+： $0.58031
- 500+： $0.54746
- 1000+： $0.51648
小計金額 $0.65204
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：6-VDFN Exposed Pad
- Number of Pins：6
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.8A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.14W Ta
- Turn Off Delay Time：9 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：FETKY™
- Published：2006
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：3 (168 Hours)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：C BEND
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：1.74W
- Turn On Delay Time：4.8 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：90m Ω @ 3.4A, 4.5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：275pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：10nC @ 4.5V
- Rise Time：13.6ns
- Vgs (Max)：±12V
- Fall Time (Typ)：13.6 ns
- Continuous Drain Current (ID)：3.4A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：2.8A
- Drain-source On Resistance-Max：0.09Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：20V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：13.8A
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 2962
- 1+： $0.65204
- 10+： $0.61513
- 100+： $0.58031
- 500+： $0.54746
- 1000+： $0.51648
小計金額 $0.65204
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